今日，拓荆科技股份有限公司进行新股发行网上路演。作为国内高端半导体设备行业重要的领军企业，拓荆科技自成立以来，专注于芯片制造所需的核心设备之一—薄膜沉积设备领域，现已成为国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，也是国内领先的ALD设备厂商。

把握行业发展机遇 提升市场份额

根据SEMI统计，2020年全球半导体设备销售额达712亿美元，年均复合增长率达11.28%，具有较高的成长性。

拓荆科技聚焦的薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成晶圆制造三大核心设备，决定了半导体芯片制造工艺的先进程度。

拓荆科技深耕行业十余年，夯实技术储备，充分把握行业机遇，加强自主研发技术可控，形成了包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。

公司近年来的营业收入和客户数量均实现快速增长。2018年至2021年，拓荆科技累计实现营业收入15.15亿元，其中2021年营收增长率高达74%。公司主要产品已批量发往各大行业领先集成电路制造企业产线，广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，同时公司在研产品也已发往国际领先晶圆厂,参与其先进制程工艺研发。

预计未来，拓荆科技的三大系列产品将持续受益行业高景气度，迎来业绩高速增长期。

持续研发投入，打破技术垄断

核心技术是企业在市场竞争中的根本。拓荆科技作为高新技术企业，一直立足于自主创新，持续投入研发。2018年至2021年1-9月，拓荆科技分别投入研发10,797.31万元、7,431.87万元、12,278.18万元和12,955.63 万元，分别占各期营业收入152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。

在半导体薄膜沉积设备领域，拓荆科技积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。数据显示，截至2022年3月8日，拓荆科技累计获取授权专利174项，其中发明专利共计98项。同时，公司还先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”等多项项国家重大专项/课题。

凭借深厚的技术积累和巨额研发投入，拓荆科技持续创新不断推出满足市场需求的新产品。在PECVD、ALD及SACVD设备领域，拓荆科技已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求，并一举打破薄膜沉积设备长时间被国际巨头垄断局面，成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。

注重人才培养 提升市场竞争力

拓荆科技创始团队是以归国海外专家为核心，以前后两任董事长为核心的多名国家级海外高层次专家组建了一支国际化技术团队。公司国际化、专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入。

成立数年来，拓荆科技始终立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为技术研发的中坚力量。

据悉，截至2021年9月30日，拓荆科技累计有研发人员189名，占员工总数的44.06%。公司研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，是公司产品市场竞争力的有力保障。

战略布局未来发展 打造半导体设备制造领军者

拓荆科技本次拟募集资金逾10亿元，主要用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进，以及ALD 设备研发与产业化等项目。

公司表示，未来将持续保持最新技术的研究和投入，坚持技术和产品创新，继续专注于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，提高公司综合竞争力，打造半导体设备制造领军者。（燕云）


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